特斯拉明年将采用台积电3nm芯片

盖世汽车讯 据外媒报道，特斯拉已确认参加台积电明年的3nm NTO芯片设计定案，这反映出市场对先进半导体解决方案的需求不断增长。值得注意的是，特斯拉成为N3P的客户表明其有意利用台积电的尖端技术生产下一代FSD智能驾驶芯片。

台积电的N3P制程计划于2024年投产。与N3E制程相比，N3P的目标是将性能提高5%，将能耗降低5%到10%，将芯片密度提高1.04倍。台积电强调，N3P的性能、功耗和面积指标，以及技术成熟度都超过了英特尔的18A制程。

特斯拉与台积电的合作并不新鲜，特斯拉过去曾下过多个订单，之前的合作项目包括采用7nm工艺的Dojo D1芯片和采用5nm工艺的HW 4.0芯片。特斯拉加入台积电N3P客户名单标志着两家公司的战略举措。

分析师预计，此次合作将推动特斯拉成为台积电的第七大客户，为台积电的收入增长轨迹注入新的动力。随着特斯拉继续引领汽车行业的创新技术，与台积电的合作凸显了半导体进步在塑造未来电动汽车和自动驾驶汽车中的关键作用。